Contributo allo studio dei fenomeni di trasporto della carica minoritaria in regioni quasi neutre di semiconduttori fortemente e disuniformemente drogati. Riduzione del problema ad equazioni integrali

Ercole De Castro

Atti della Accademia Nazionale dei Lincei. Classe di Scienze Fisiche, Matematiche e Naturali. Rendiconti (1982)

  • Volume: 72, Issue: 3, page 137-148
  • ISSN: 0392-7881

Abstract

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Transport phenomena of minority carriers in quasi neutral regions of heavily doped semiconductors are considered for the case of one-dimensional stationary flow and their study is reduced to a Fredholm integral equation of the second kind, the kernel and the known term of which are built from known functions of the doping arbitrarily distributed in space. The advantage of the method consists, among other things, in having all the coefficients of the differential equations and of the boundary conditions of the problem built in only two, the kernel and the known term of the integral equation. For this reason taking into account phenomena such as bangap narrowing, degeneration of majority carriers and Auger effect does not make the problem more difficult to solve, while its qualitative discussion can be appreciably simplified.

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De Castro, Ercole. "Contributo allo studio dei fenomeni di trasporto della carica minoritaria in regioni quasi neutre di semiconduttori fortemente e disuniformemente drogati. Riduzione del problema ad equazioni integrali." Atti della Accademia Nazionale dei Lincei. Classe di Scienze Fisiche, Matematiche e Naturali. Rendiconti 72.3 (1982): 137-148. <http://eudml.org/doc/288595>.

@article{DeCastro1982,
author = {De Castro, Ercole},
journal = {Atti della Accademia Nazionale dei Lincei. Classe di Scienze Fisiche, Matematiche e Naturali. Rendiconti},
language = {ita},
month = {3},
number = {3},
pages = {137-148},
publisher = {Accademia Nazionale dei Lincei},
title = {Contributo allo studio dei fenomeni di trasporto della carica minoritaria in regioni quasi neutre di semiconduttori fortemente e disuniformemente drogati. Riduzione del problema ad equazioni integrali},
url = {http://eudml.org/doc/288595},
volume = {72},
year = {1982},
}

TY - JOUR
AU - De Castro, Ercole
TI - Contributo allo studio dei fenomeni di trasporto della carica minoritaria in regioni quasi neutre di semiconduttori fortemente e disuniformemente drogati. Riduzione del problema ad equazioni integrali
JO - Atti della Accademia Nazionale dei Lincei. Classe di Scienze Fisiche, Matematiche e Naturali. Rendiconti
DA - 1982/3//
PB - Accademia Nazionale dei Lincei
VL - 72
IS - 3
SP - 137
EP - 148
LA - ita
UR - http://eudml.org/doc/288595
ER -

References

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  1. Pankove, J.I. (1960) - «Phys. Rev. Lett.», 4, 20. 
  2. Cardona, M., Sommers, M.S. (1961) - «Phys Rev.», 122, 1382. 
  3. Haas, C. (1962) - «Phys. Rev.», 125, 1965. 
  4. Kane, E.O. (1963) - «Phys. Rev.», 131, 79. 
  5. Morgan, T.N. (1965) - «Phys. Rev.», 139, A 343. 
  6. Bonch Bruyevich, V.L. (1966) - The electronic Theory of heavily doped semiconductors. Elsevier Publ. 
  7. Slotboom, J.W. e De Graaff, H.C. (1976) - «Solid-State Electronics», 19, 857. 
  8. Lindholm, F.A., Neugroschel, A., Sah, C.T., Godlewski, M.P. e Brandhorst, H.W. (1977) - «IEEE Trans. Electron Devices», ED 24, 402. 
  9. Lanyon, H.P.D. e Tuft, R.A. (1979) - «IEEE Trans. Electron Devices», ED 26, 1014. 
  10. Mahan, G.D. (1980) - «J. Appl. Phys.», 51, 2634. 
  11. Mertens, R.P., Van Meerbergen, J.L., Nijs, J.F. e Van Overstraeten, R.J. (1980) - «IEEE Trans. Electron Devices», ED 27, 949. 
  12. Nelson, D.F., Cuthbert, J.D., Dean, P.J. e Thomas, D.G. (1966) - «Phys Rev. Letters», 27, 1262. 
  13. Nilsson, N.G. e Svantession, K.G. (1972) - «Solid-State Commun.», 11, 155. 
  14. Sheng, W.W. (1975) - «IEEE Trans. Electron Devices», ED 22, 25. 
  15. Dziewior, J. e Schmid, W. (1977) - «Appl. Phys. Lett.», 31, 346. 
  16. Redfield, D. (1978) - «Appl. Phys. Lett.», 33, 531. 
  17. Baccarani, G. (1975) - «Solid-State Electronics», 18, 469. 
  18. Sze, S.M. (1981) - «Physics of Semiconductor Devices», Wiley, par. 1.4. 
  19. De Man, H.J. (1971) - «IEEE Trans. Electron Devices», ED 18, 833. 
  20. Van Overstraeten, R.J., De Man, H.J. e Mertens, R.P. (1973) - «IEEE Trans. Electron Devices», ED 20, 290. 
  21. Mertens, R.P., De Man, H.J. e Van Overstraeten, R.J. (1973) - «IEEE Trans. Electron Devices», ED 20, 772. 
  22. Slotboom, J.W. (1977) - «Solid-State Electronics», 20, 167. 
  23. De Graaff, H.C., Slotboom, J.W. e Schmitz, A. (1977) - «Solid-State Electronics», 20, 515. 
  24. Amantea, R. (1980) - «IEEE Trans. Electron Devices», ED 27, 1231. 
  25. Fossum, J.G. e Shibib, M.A. (1981) - «IEEE Trans. Electron Devices», ED 28, 1018. 

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