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Con riferimento alla quantizzazione nella direzione ortogonale all'interfaccia, viene sviluppato un semplice procedimento approssimato per stabilire se esiste un intervallo di livelli quasi continui corrispondenti a stati legati allo strato di accumulazione di una giunzione isolante-semiconduttore opportunamente polarizzata. Il procedimento, in quanto determina la distanza fra tali livelli, ne dà anche la densità, quindi la distribuzione delle sottobande di stati legati nel problema tridimensionale....
Con riferimento alla quantizzazione nella direzione ortogonale all'interfaccia, viene sviluppato un semplice procedimento approssimato per stabilire se esiste un intervallo di livelli quasi continui corrispondenti a stati legati allo strato di accumulazione di una giunzione isolante-semiconduttore opportunamente polarizzata. Il procedimento, in quanto determina la distanza fra tali livelli, ne dà anche la densità, quindi la distribuzione delle sottobande di stati legati nel problema tridimensionale....
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