Existence of a quasi-continuous distribution oj bound state level sub-bands at an accumulation or inversion layer of semiconductor-insulator interfaces
Ercole De Castro, Piero Olivo (1984)
Atti della Accademia Nazionale dei Lincei. Classe di Scienze Fisiche, Matematiche e Naturali. Rendiconti
Similarity:
Con riferimento alla quantizzazione nella direzione ortogonale all'interfaccia, viene sviluppato un semplice procedimento approssimato per stabilire se esiste un intervallo di livelli quasi continui corrispondenti a stati legati allo strato di accumulazione di una giunzione isolante-semiconduttore opportunamente polarizzata. Il procedimento, in quanto determina la distanza fra tali livelli, ne dà anche la densità, quindi la distribuzione delle sottobande di stati legati nel problema...