Contributo allo studio dei fenomeni di trasporto della carica minoritaria in regioni quasi neutre di semiconduttori fortemente e disuniformemente drogati. Riduzione del problema ad equazioni integrali
- Volume: 72, Issue: 3, page 137-148
- ISSN: 1120-6330
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topDe Castro, Ercole. "Contributo allo studio dei fenomeni di trasporto della carica minoritaria in regioni quasi neutre di semiconduttori fortemente e disuniformemente drogati. Riduzione del problema ad equazioni integrali." Atti della Accademia Nazionale dei Lincei. Classe di Scienze Fisiche, Matematiche e Naturali. Rendiconti Lincei. Matematica e Applicazioni 72.3 (1982): 137-148. <http://eudml.org/doc/287035>.
@article{DeCastro1982,
author = {De Castro, Ercole},
journal = {Atti della Accademia Nazionale dei Lincei. Classe di Scienze Fisiche, Matematiche e Naturali. Rendiconti Lincei. Matematica e Applicazioni},
keywords = {transport phenomena; semi-conductor; Auger effect; second kind},
language = {ita},
month = {3},
number = {3},
pages = {137-148},
publisher = {Accademia Nazionale dei Lincei},
title = {Contributo allo studio dei fenomeni di trasporto della carica minoritaria in regioni quasi neutre di semiconduttori fortemente e disuniformemente drogati. Riduzione del problema ad equazioni integrali},
url = {http://eudml.org/doc/287035},
volume = {72},
year = {1982},
}
TY - JOUR
AU - De Castro, Ercole
TI - Contributo allo studio dei fenomeni di trasporto della carica minoritaria in regioni quasi neutre di semiconduttori fortemente e disuniformemente drogati. Riduzione del problema ad equazioni integrali
JO - Atti della Accademia Nazionale dei Lincei. Classe di Scienze Fisiche, Matematiche e Naturali. Rendiconti Lincei. Matematica e Applicazioni
DA - 1982/3//
PB - Accademia Nazionale dei Lincei
VL - 72
IS - 3
SP - 137
EP - 148
LA - ita
KW - transport phenomena; semi-conductor; Auger effect; second kind
UR - http://eudml.org/doc/287035
ER -
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