Устойчивость состояния равновесия для гидродинамической модели переноса заряда в полупроводниках
Sibirskij matematiceskij zurnal (1999)
- Volume: 40, Issue: 5, page 1012-1022
- ISSN: 0037-4466; 1573-9260/e
Access Full Article
top
How to cite
topБлохин, А.М., and Иорданиди, А.А.. "Устойчивость состояния равновесия для гидродинамической модели переноса заряда в полупроводниках." Sibirskij matematiceskij zurnal 40.5 (1999): 1012-1022. <http://eudml.org/doc/64339>.
@article{Блохин1999,
author = {Блохин, А.М., Иорданиди, А.А.},
journal = {Sibirskij matematiceskij zurnal},
keywords = {semiconductor; equilibrium; linearization; a priori bound; hydrodynamical model},
language = {rus},
number = {5},
pages = {1012-1022},
publisher = {Izd. AN SSSR},
title = {Устойчивость состояния равновесия для гидродинамической модели переноса заряда в полупроводниках},
url = {http://eudml.org/doc/64339},
volume = {40},
year = {1999},
}
TY - JOUR
AU - Блохин, А.М.
AU - Иорданиди, А.А.
TI - Устойчивость состояния равновесия для гидродинамической модели переноса заряда в полупроводниках
JO - Sibirskij matematiceskij zurnal
PY - 1999
PB - Izd. AN SSSR
VL - 40
IS - 5
SP - 1012
EP - 1022
LA - rus
KW - semiconductor; equilibrium; linearization; a priori bound; hydrodynamical model
UR - http://eudml.org/doc/64339
ER -
NotesEmbed ?
topYou must be logged in to post comments.
To embed these notes on your page include the following JavaScript code on your page where you want the notes to appear.