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Contributo allo studio dei fenomeni di trasporto della carica minoritaria in regioni quasi neutre di semiconduttori fortemente e disuniformemente drogati. Riduzione del problema ad equazioni integrali

Ercole De Castro — 1982

Atti della Accademia Nazionale dei Lincei. Classe di Scienze Fisiche, Matematiche e Naturali. Rendiconti Lincei. Matematica e Applicazioni

Transport phenomena of minority carriers in quasi neutral regions of heavily doped semiconductors are considered for the case of one-dimensional stationary flow and their study is reduced to a Fredholm integral equation of the second kind, the kernel and the known term of which are built from known functions of the doping arbitrarily distributed in space. The advantage of the method consists, among other things, in having all the coefficients of the differential equations and of the boundary conditions...

Contributo allo studio dei fenomeni di trasporto della carica minoritaria in regioni quasi neutre di semiconduttori fortemente e disuniformemente drogati. Riduzione del problema ad equazioni integrali

Ercole De Castro — 1982

Atti della Accademia Nazionale dei Lincei. Classe di Scienze Fisiche, Matematiche e Naturali. Rendiconti

Transport phenomena of minority carriers in quasi neutral regions of heavily doped semiconductors are considered for the case of one-dimensional stationary flow and their study is reduced to a Fredholm integral equation of the second kind, the kernel and the known term of which are built from known functions of the doping arbitrarily distributed in space. The advantage of the method consists, among other things, in having all the coefficients of the differential equations and of the boundary conditions...

Existence of a quasi-continuous distribution oj bound state level sub-bands at an accumulation or inversion layer of semiconductor-insulator interfaces

Ercole De Castro;  Piero Olivo — 1984

Atti della Accademia Nazionale dei Lincei. Classe di Scienze Fisiche, Matematiche e Naturali. Rendiconti Lincei. Matematica e Applicazioni

Con riferimento alla quantizzazione nella direzione ortogonale all'interfaccia, viene sviluppato un semplice procedimento approssimato per stabilire se esiste un intervallo di livelli quasi continui corrispondenti a stati legati allo strato di accumulazione di una giunzione isolante-semiconduttore opportunamente polarizzata. Il procedimento, in quanto determina la distanza fra tali livelli, ne dà anche la densità, quindi la distribuzione delle sottobande di stati legati nel problema tridimensionale....

Existence of a quasi-continuous distribution oj bound state level sub-bands at an accumulation or inversion layer of semiconductor-insulator interfaces

Ercole De Castro;  Piero Olivo — 1984

Atti della Accademia Nazionale dei Lincei. Classe di Scienze Fisiche, Matematiche e Naturali. Rendiconti

Con riferimento alla quantizzazione nella direzione ortogonale all'interfaccia, viene sviluppato un semplice procedimento approssimato per stabilire se esiste un intervallo di livelli quasi continui corrispondenti a stati legati allo strato di accumulazione di una giunzione isolante-semiconduttore opportunamente polarizzata. Il procedimento, in quanto determina la distanza fra tali livelli, ne dà anche la densità, quindi la distribuzione delle sottobande di stati legati nel problema tridimensionale....

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